氣體濃度檢測(cè)儀選型

技術(shù)參數(shù)

檢測(cè)氣體：可燃?xì)怏wEx ，選配：同時(shí)檢測(cè)1～4種氣體濃度和溫濕度測(cè)量，視傳感器和現(xiàn)場(chǎng)環(huán)境而定

檢測(cè)原理：催化燃燒、紅外、熱導(dǎo)、PID光離子，根據(jù)氣體類型、量程、現(xiàn)場(chǎng)環(huán)境和用戶需求而定

傳感器壽命：催化燃燒3年，紅外5～10年、熱導(dǎo)5年，PID2年

檢測(cè)方式：內(nèi)置泵吸式，流量500毫升/分鐘

顯示方式：2.4寸320X240高清彩屏顯示,5按鍵操作

檢測(cè)精度：≤±3%（F.S）

線 性 度：≤±2%

重 復(fù) 性：≤±2%

響應(yīng)時(shí)間：T90≤20秒

恢復(fù)時(shí)間：≤30秒

工作電源：DC3.6V

報(bào)警方式：聲光報(bào)警、振動(dòng)報(bào)警、視覺(jué)報(bào)警、聲光+振動(dòng)+視覺(jué)報(bào)警、關(guān)閉報(bào)警可選

應(yīng)用領(lǐng)域：

電力行業(yè)

氣體檢測(cè)儀器在電力行業(yè)有廣泛的市場(chǎng)空間，可以檢測(cè)電力變電站產(chǎn)生的六氟化硫氣體。

主要產(chǎn)生氣體：氨氣、氯氣、硫化氫、六氟化硫、氧氣。

多晶硅行業(yè)

多晶硅的生產(chǎn)工藝主要由高純石英（經(jīng)高溫焦碳還原）→工業(yè)硅（酸洗）→硅粉（加HCL）→SiHCL3（經(jīng)過(guò)粗餾精餾）→高純SiHCL3（和氫氣反應(yīng)CVD工藝）→高純多晶硅。

煤炭行業(yè)

煉焦工業(yè)、煤氣化-合成氨、煤基甲醇、煤制合成油、煤化工聯(lián)產(chǎn)都對(duì)氣體報(bào)警產(chǎn)品有廣泛的需求，尤其是對(duì)二氧化硫、硫化氫、一氧化碳、氯氣、氨氣等氣體探測(cè)器需求量非常大。

氣體濃度檢測(cè)儀選型的注意事項(xiàng)：

(1)弄清所要監(jiān)測(cè)的裝置有哪些可能泄漏點(diǎn)，分析它們的泄漏壓力、方向等因素，并畫出探頭位置分布圖，根據(jù)泄漏的嚴(yán)重程度分成Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ三種等級(jí)。

(2)根據(jù)所在場(chǎng)所的氣流方向、風(fēng)向等具體因素，判斷當(dāng)發(fā)生大量泄漏時(shí)，可燃?xì)怏w的泄漏方向。

(3)根據(jù)泄漏氣體的密度(大于或小于空氣)，結(jié)合空氣流動(dòng)趨勢(shì)，綜合成泄漏的立體流動(dòng)趨勢(shì)圖，并在其流動(dòng)的下游位置作出初始設(shè)點(diǎn)方案。

(4)研究泄漏點(diǎn)的泄漏狀態(tài)是微漏還是噴射狀。如果是微漏，則設(shè)點(diǎn)的位置就要靠近泄漏點(diǎn)一些。如果是噴射狀泄漏，則要稍遠(yuǎn)離泄漏點(diǎn)。綜合這些狀況，擬定出最終設(shè)點(diǎn)方案。這樣，需要購(gòu)置的數(shù)量和品種即可估算出來(lái)。

(5)對(duì)于存在較大可燃?xì)怏w泄漏的場(chǎng)所，根據(jù)有關(guān)規(guī)定每相距10—20m應(yīng)設(shè)一個(gè)檢測(cè)點(diǎn)。對(duì)于無(wú)人值班的小型且不連續(xù)運(yùn)轉(zhuǎn)的泵房，需要注意發(fā)生可燃?xì)怏w泄漏的可能性，一般應(yīng)在下風(fēng)口安裝一臺(tái)檢測(cè)器。

(6)對(duì)于有氫氣泄漏的場(chǎng)所，應(yīng)將檢測(cè)器安裝在泄漏點(diǎn)上方平面。

(7)對(duì)于氣體密度大于空氣的介質(zhì)，應(yīng)將檢測(cè)器安裝在低于泄漏點(diǎn)的下方平面上，并注意周圍環(huán)境特點(diǎn)。對(duì)于容易積聚可燃?xì)怏w的場(chǎng)所應(yīng)特別注意安全監(jiān)測(cè)點(diǎn)的設(shè)定。

(8)對(duì)于開放式可燃?xì)怏w擴(kuò)散逸出環(huán)境，如果缺乏良好的通風(fēng)條件，也很容易使某個(gè)部位的空氣中的可燃?xì)怏w含量接近或達(dá)到爆炸下限濃度，這些都是不可忽視的安全監(jiān)測(cè)點(diǎn)。